系列三：等離子體刻蝕系統(tǒng)的精準(zhǔn)溫控

等離子體刻蝕（干法刻蝕）

在半導(dǎo)體生產(chǎn)中，尤其在生產(chǎn)電子設(shè)備所需的復(fù)雜電路時(shí)，等離子體刻蝕是所需的基本工藝。

等離子體刻蝕又稱干法刻蝕，在此工藝過程中，晶圓暴露在真空刻蝕室的等離子體中，受到等離子體中離子的轟擊，從而可以去除表面未被光刻膠保護(hù)的材料。

由于等離子體的溫度會(huì)影響刻蝕過程的速度和效率。在半導(dǎo)體生產(chǎn)中，對(duì)等離子體進(jìn)行高精度的溫度控制非常重要。

晶圓的加工級(jí)別在微米級(jí)和納米級(jí)之間，即使溫度只是發(fā)生了微小的變化，也會(huì)導(dǎo)致蝕刻結(jié)構(gòu)的尺寸和形狀發(fā)生顯著變化。

刻蝕系統(tǒng)的溫度控制

LAUDA 為等離子體刻蝕這一敏感工藝，提供專門設(shè)計(jì)的 Semistat 系列。

基于久經(jīng)考驗(yàn)的珀?duì)柼麑?dǎo)熱原理，LAUDA Semistat 工藝恒溫器可對(duì)等離子體刻蝕進(jìn)行可重復(fù)的溫度控制。Semistat 可以對(duì)靜電晶圓吸盤（ESC）進(jìn)行動(dòng)態(tài)溫度控制，是適用于各種等離子體刻蝕工藝的通用 TCU。Semistat 節(jié)能、省空間、溫度控制穩(wěn)定。

Lauda semistat 工藝恒溫器

開創(chuàng)性的珀?duì)柼銣仄鳎簽橐罂量痰墓に嚕峁┛焖倬珳?zhǔn)的溫度控制。

用于半導(dǎo)體行業(yè)的，?20 到 90 °C 的熱電工藝恒溫器：

• 制冷功率， 從 1.2 到 4.4 kW

• 加熱功率， 從 3 到 12 kW

技術(shù)參數(shù)：

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

•     無需制冷劑

•     體積小，節(jié)省寶貴的潔凈室空間

•     導(dǎo)熱液體的消耗量少

•     無需經(jīng)常維護(hù)

•     大幅減少導(dǎo)熱液體的使用量，節(jié)省成本

針對(duì)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化的

高能效的恒溫設(shè)備

基于珀?duì)柼淼?LAUDA Semistat ，用于控制等離子刻蝕應(yīng)用的溫度，在運(yùn)行過程中會(huì)及其節(jié)能。

熱電式恒溫器和壓縮機(jī)式恒溫器相比較，有以下優(yōu)勢(shì)：

由上述可見，這些優(yōu)勢(shì)提高了等離子刻蝕工藝中熱電恒溫設(shè)備的效率，并顯著降低了能耗。

基于實(shí)際客戶應(yīng)用，我們對(duì) LAUDA Semistat S 2400 恒溫器和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的恒溫器進(jìn)行了比較測(cè)量。

我們根據(jù)測(cè)量出的耗電量，確定了各自的成本，并計(jì)算出了所節(jié)省的電量。

相比之下，LAUDA Semistat S 2400 可節(jié)省 90%的電量。

同時(shí)，根據(jù)測(cè)量的加熱和冷卻速率，確定了升降溫時(shí)間，并計(jì)算出了所節(jié)省的時(shí)間。熱電型設(shè)備的冷卻和加熱時(shí)間（斜率下降和斜率上升時(shí)間）也明顯少于用壓縮機(jī)型恒溫設(shè)備。

相比之下，LAUDA Semistat S 2400 可節(jié)省高達(dá) 67% 的冷卻時(shí)間，和 81% 的加熱時(shí)間。

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